옴의 법칙
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1. 개요
옴의 법칙은 1827년 게오르크 옴이 발표한, 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 나타내는 기본 법칙이다. 옴의 법칙은 전압(V)은 전류(I)와 저항(R)의 곱(V=IR)으로 표현되며, 회로 내 두 지점 사이의 전위차, 회로를 통해 흐르는 전하의 양, 전류의 흐름을 방해하는 정도를 각각 의미한다. 옴의 법칙은 전기 회로 설계 및 분석에 널리 사용되며, 직렬 및 병렬 회로의 등가 저항 계산에 활용된다. 옴의 법칙은 금속 도체와 저항기뿐만 아니라, 다이오드와 같이 비선형 특성을 갖는 소자에도 적용할 수 있다. 옴의 법칙은 경험적 법칙으로, 전기장이 충분히 강하거나 특정 물질에서는 비옴적 거동을 보일 수 있다. 옴의 법칙은 외부 자기장이 존재하거나 도체가 움직이는 경우, 또는 교류 회로의 경우 등 다양한 조건에서 일반화되어 사용된다.
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옴의 법칙 | |
---|---|
기본 정보 | |
![]() | |
설명 | 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 나타내는 경험적 법칙 |
법칙 | 전류(I)는 전압(V)에 비례하고 저항(R)에 반비례한다. |
수식 | V = I * R I = V / R R = V / I |
단위 | 전압 (V): 볼트 전류 (I): 암페어 저항 (R): 옴 |
적용 범위 | 대부분의 전기 회로에서 적용 가능 |
역사 | |
발견자 | 게오르크 옴 |
발표 년도 | 1827년 |
초기 형태 | 전도체의 두 점 사이의 전압은 그 점을 통과하는 전류에 비례한다. |
초기 발표의 중요성 | 전류, 전압, 저항 사이의 관계를 처음으로 정량화함. |
출판물 | 수학적으로 규정된 전기 회로 연구(Die galvanische Kette, mathematisch bearbeitet) |
저항 개념 정립 | 옴의 법칙을 통해 저항의 개념이 명확해짐 |
초기 저항 인식의 어려움 | 당시에는 저항의 중요성이 잘 알려지지 않았음. |
법칙의 한계 | |
비선형 저항 | 일부 물질이나 소자에서는 옴의 법칙이 성립하지 않을 수 있음. |
온도 변화 | 저항은 온도에 따라 변할 수 있으므로 일정 온도 조건에서만 정확하게 적용됨. |
교류 회로 | 교류 회로에서는 저항 외에 임피던스 개념을 고려해야 함. |
공식 | |
전압 계산 공식 | V = I × R |
전류 계산 공식 | I = V / R |
저항 계산 공식 | R = V / I |
응용 | |
전기 회로 설계 | 회로 내에서 전류, 전압, 저항 값을 계산하고 조절하는 데 활용됨. |
전자 부품 분석 | 저항 값을 측정하여 전자 부품의 이상 여부를 진단하는 데 사용됨. |
센서 개발 | 저항 변화를 이용한 다양한 센서 개발에 활용됨. |
관련 개념 | |
전압 | 회로 내에서 전하를 이동시키는 에너지. |
전류 | 전하의 흐름. |
저항 | 전류의 흐름을 방해하는 정도. |
전도율 | 물질이 전류를 얼마나 잘 흐르게 하는지를 나타내는 척도. 저항의 역수. |
추가 정보 | |
오해 | 저항이 변하면 전압이 변한다(오해). 전압은 독립적으로 존재하며 저항이 변화하면 전류가 변한다. |
2. 역사
옴의 법칙은 1827년 독일의 물리학자 옴이 그의 저서 "수학적으로 연구한 갈바니 회로"(''Die galvanische Kette, mathematisch bearbeitet'')에서 처음 발표하였다.[10] 옴의 법칙은 옴 이전에 캐번디시, 로널즈 등의 선행 연구를 바탕으로 정립되었다.
1781년 1월, 캐번디시는 소금물 농도를 달리한 라이덴 병 실험을 통해 전류가 전압에 정비례한다는 것을 발견했지만, 이 결과는 1879년 맥스웰에 의해 발표되기 전까지 알려지지 않았다.[6][7] 1814년 로널즈는 건전지와 금박 전위계를 사용하여 전압과 전류의 관계를 연구했지만, 특정 조건에서 비례 관계가 성립하지 않음을 발견했다.[8][9]
옴은 푸리에의 열전도 연구에서 영감을 받아, 열전대를 사용하여 안정적인 전압원을 확보하고, 검류계를 통해 전류를 측정하는 실험을 진행했다. 그는 다양한 길이와 굵기의 도선을 사용하여 실험한 결과, 전류가 전압에 비례하고 저항에 반비례한다는 옴의 법칙을 정립했다.
옴의 초기 연구는 당시 학계에서 즉각적으로 인정받지 못했다. 비평가들은 그의 연구를 "벌거벗은 공상의 그물"[11]이라고 비난했고, 교육부 장관은 "그러한 이단을 설교하는 교수는 과학을 가르칠 자격이 없다"[12]고 비판했다. 당시 독일의 과학 철학은 실험보다는 추론을 통한 과학적 진리 탐구를 강조했기 때문이다.[13] 그러나 옴의 연구는 1840년대에 이르러 널리 받아들여지게 되었고, 옴은 죽기 전에 과학에 대한 공헌을 인정받았다.
1850년대에 옴의 법칙은 널리 알려지고 증명되었다. 바로우의 법칙과 같은 대안들은 모스가 1855년에 논의한 바와 같이, 전신 시스템 설계에 대한 실제 응용 측면에서 신뢰를 잃었다.[14]
1897년 톰슨에 의해 전자가 발견되었고, 1900년 드루드는 드루드 모형을 통해 옴의 법칙에 대한 과학적 설명을 제시했다. 이후 양자 역학의 발전으로 옴의 법칙은 더욱 정교하게 설명되었으며, 현대적인 띠 이론은 고체의 전기적 특성을 이해하는 데 중요한 역할을 한다.
2. 1. 한국의 옴의 법칙 수용과 연구
(빈칸)3. 옴의 법칙의 기본 형식
옴의 법칙은 전기 회로의 두 점 사이의 전위차가 그 두 점 사이를 흐르는 전류에 비례한다는 것을 나타낸다.[42] 전류가 이고 전위차가 일 때, 다음과 같은 식이 성립한다.
:
여기서 비례 상수 은 도체의 재질, 형태, 온도 등에 따라 결정되며, 전기 저항(electric resistance) 또는 간단히 저항(resistance)이라고 불린다.
이 관계를 반대로 생각하면, 흐르는 전류가 전위차에 비례한다고 표현할 수 있다. 이를 수식으로 나타내면 다음과 같다.
:
이때 비례 상수 는 전기 전도도(conductance) 또는 컨덕턴스라고 불린다.
전류의 단위에 암페어(A)를, 전위차의 단위에 볼트(V)를 사용할 때 전기 저항의 단위는 옴(Ω)이 사용된다. 또한, 컨덕턴스의 단위는 지멘스(S)가 사용된다.
4. 옴의 법칙의 미시적 형태
옴의 법칙은 미시적으로 다음과 같이 표현된다.
:
여기서 '''J'''는 전류 밀도, σ는 전기 전도도(비등방성 물질에서는 텐서일 수도 있음), '''E'''는 전기장을 나타낸다.[18][19] 이 식은 도체 내에서 전하 운반체의 움직임과 전기장 사이의 관계를 설명한다.
전류 밀도가 인가된 전기장에 의존하는 것은 본질적으로 양자역학적이다. 1900년 폴 드루드가 개발한 드루드 모형을 사용하여 고전역학에 기반하여 옴의 법칙을 설명할 수 있다. 드루드 모형에서 전자(또는 다른 전하 운반체)는 재료를 구성하는 이온 사이에서 핀볼처럼 튄다. 전자는 평균 전기장에 의해 전기장과 반대 방향으로 가속되지만, 각 충돌마다 전기장으로 얻어진 속도보다 훨씬 큰 속도로 무작위 방향으로 굴절된다. 그 결과 전자는 충돌로 인해 지그재그 경로를 취하지만, 일반적으로 전기장과 반대 방향으로 이동한다.
표류 속도는 전기 전류 밀도와 '''E'''와의 관계를 결정하며 충돌과는 무관하다. 드루드는 '''p''' = −''e'''E'''τ''' ('''p'''는 평균 운동량, −''e''는 전자의 전하, τ는 충돌 사이의 평균 시간)에서 평균 표류 속도를 계산했다. 운동량과 전류 밀도는 모두 표류 속도에 비례하므로 전류 밀도는 인가된 전기장에 비례하게 된다. 이것이 옴의 법칙으로 이어진다.
움직이는 도체와 자기장이 있는 경우, 옴의 법칙은 다음과 같이 확장된다.
:
이 식은 로런츠 힘과 관계를 가지는데, 이로써 옴의 법칙을 로런츠 힘과 (전하 운반체의 속력에 비례하는) 항력이 있다는 가정 아래 유도할 수 있다.
물리학자들은 종종 다음의 옴의 법칙 연속체 형태를 사용한다.[37]
여기서 '''E'''는 볼트/미터 단위의 전기장 벡터, '''J'''는 암페어/단위 면적 단위의 전류 밀도 벡터, ρ는 옴·미터 단위의 비저항이다. 위 방정식은[38] '''J''' = ''σ'''''E'''로도 작성되는데, 여기서 σ는 ρ의 역수인 전도도이다.
도체 내의 미소한 단면(법선 벡터) 면적을 ΔS라 하면, 이 단면을 관통하는 전류 I는 이 점에서의 전류밀도 '''j'''로 하여
I = '''j''' · '''n''' ΔS
로 표현된다. 한편, 이 미소한 단면을 관통하는 미소한 법선의 길이를 ΔL라 하면, 이 법선을 따라 전위차 V는 이 점에서의 전기장 '''E'''로 하여
V = '''E''' · '''n''' ΔL
로 표현된다. 이 전류와 전위차에 옴의 법칙을 적용하면
'''E''' · '''n''' = (RΔS/ΔL) '''j''' · '''n'''
이 된다. 도체가 균일하고 등방적인 재질이라고 생각하면, 전기장 '''E'''과 전류밀도 '''j'''는 평행이라고 생각할 수 있으며,
'''E''' = ρ '''j'''
로 표현된다. 비례계수 ρ = R ΔS/ΔL는 도체의 재질과 온도에 따라 결정되며, 비저항(resistivity)[42] 또는 고유 저항 (specific resistance)이라고 불린다.
더 나아가 그 역함수
'''j''' = σ '''E'''
로 표현했을 때의 비례계수 σ = 1/ρ는 전기전도도(conductivity)[42]라고 불린다.
이 표현은 도체 내의 미소 영역에서의 옴의 법칙을 나타내고 있으며, 미분형 표현이라고 불린다. 이 미분형 표현을 실제 도체의 형상 치수에 맞춰 적분함으로써 그 도체의 전기 저항이 결정된다.
열 운동이 충분히 낮고 주기적 구조에서 벗어나는 부분이 없는 완벽한 결정 격자는 비저항이 없지만,[41] 실제 금속은 결정학적 결함, 불순물, 여러 동위원소 및 원자의 열 운동을 가지고 있다. 전자는 이러한 모든 것들에서 산란되어 흐름에 대한 저항을 발생시킨다.
5. 옴의 법칙의 응용
옴의 법칙은 전기 회로 설계 및 분석에 널리 사용된다. 저항, 전압, 전류 중 두 가지 값을 알고 있다면, 옴의 법칙을 이용하여 나머지 값을 계산할 수 있다. 예를 들어 공식을 이용해 전류를, 공식을 이용해 전압을, 공식을 이용해 저항을 구할 수 있다.[2] 또한, 옴의 법칙은 직렬 회로와 병렬 회로의 등가 저항을 계산하는 데에도 활용된다.
5. 1. 회로 해석
옴의 법칙은 저항만 포함하는 회로뿐만 아니라 축전기, 인덕터 등을 포함하는 회로에도 적용될 수 있다. 저항(R)만 있는 회로를 저항성 회로라고 하며, 축전기나 인덕터와 같이 전압과 전류 간의 관계가 미분 방정식의 해가 되는 반응형 소자를 포함하는 회로를 반응성 회로라고 한다. 반응성 회로에서는 임피던스(Z)라는 개념을 사용하여 옴의 법칙을 확장한다.[29] 임피던스는 복소수로 표현되며, 실수 부분은 저항, 허수 부분은 리액턴스를 나타낸다.시간 불변 AC 회로에서 전압과 전류는 복소 지수 함수로 표현될 수 있다. 이때 옴의 법칙은 다음과 같이 나타낼 수 있다.
:
여기서 V와 I는 각각 전압과 전류의 복소수 스칼라이고, Z는 복소 임피던스이다. Z가 복소수일 때, 실수 부분만 열을 발산하는 데 기여한다.
일반적인 AC 회로에서 Z는 주파수에 따라 크게 달라지며, 전압과 전류 간의 관계도 달라진다. 정상 정현파의 경우, 주파수를 나타내는 매개변수는 로 취해지며, 이는 복소 사인파에 해당한다.
옴의 법칙은 전기 회로 해석에 사용되는 기본적인 방정식 중 하나이다. 금속 도체와 저항기뿐만 아니라, 다이오드와 같이 비선형 특성을 갖는 소자를 포함하는 회로의 분석에도 옴의 법칙이 응용될 수 있다. 비선형 소자의 경우, 전류와 전압 간의 관계가 비선형이므로, 옴의 법칙을 직접 적용할 수 없다. 하지만, 소신호 모델링을 통해, 작은 신호 변화에 대한 동적 저항을 정의하고, 이를 옴의 법칙과 유사하게 적용할 수 있다.[33]
5. 2. 유체 역학적 유추
유압 아날로그는 옴의 법칙을 설명하는 데 사용되기도 한다. 파스칼(또는 PSI)로 측정되는 수압은 전압과 유사한데, (수평) 파이프를 따라 두 지점 사이에 수압 차이를 만들면 물이 흐르기 때문이다. 초당 리터와 같은 물의 체적 유량은 초당 쿨롱과 같은 전류와 유사하다. 수압이 측정되는 지점 사이의 파이프에 배치된 구멍과 같은 유량 제한기는 저항기와 유사하다. 구멍 제한기를 통한 물의 유량은 제한기를 가로지르는 수압 차이에 비례한다고 할 수 있다. 마찬가지로, 전하의 흐름률, 즉 전류는 전기 저항기를 통과하는 전압 차이에 비례한다. 보다 일반적으로, 수두는 전압과 유사하며, 옴의 법칙은 수두와 체적 유량을 수리 전도도를 통해 관련짓는 다르시 법칙과 유사하다.유체 흐름 네트워크에서 유압 옴 아날로그를 사용하여 유량 및 압력 변수를 계산할 수 있다.[20][21] 이 방법은 정상 상태 및 과도 상태 흐름 상황 모두에 적용할 수 있다. 선형 층류 영역에서는 푸아죄유 법칙이 파이프의 유압 저항을 설명하지만, 난류 영역에서는 압력-유량 관계가 비선형이 된다.
옴의 법칙에 대한 유압 아날로그는 예를 들어 순환계를 통한 혈류를 근사하는 데 사용되었다.[22]
6. 옴의 법칙의 한계
옴의 법칙은 여러 실험을 통해 얻어진 경험적 법칙으로, 대부분의 물질에서 전류가 전기장에 거의 비례한다는 일반화이다. 이는 맥스웰 방정식보다 기본적이지 않으며 항상 성립하는 것은 아니다. 어떤 주어진 물질이든 충분히 강한 전기장 하에서는 고장이 발생하며, 전기 공학에서 관심 있는 일부 물질은 약한 전기장 하에서도 "비옴적"이다.[15][16]
옴의 법칙은 넓은 범위의 길이 스케일에서 관찰되었다. 20세기 초에는 옴의 법칙이 원자 스케일에서는 성립하지 않을 것이라고 생각되었지만, 실험 결과는 이러한 예상을 뒷받침하지 않았다. 2012년 현재 연구자들은 폭이 4개의 원자, 높이가 1개의 원자에 불과한 실리콘 와이어에서도 옴의 법칙이 작용함을 보여주었다.[17]
7. 옴의 법칙의 일반화
자기장 내에서 속도 로 움직이는 유체를 고려할 때, 상대적인 운동은 전기장 를 유도하고, 이는 하전 입자에 전기력을 작용시켜 전류 를 발생시킨다. 이때 옴의 법칙은 다음과 같이 일반화된다.[18]
:
여기서 전기 전도도 이다. (, , 는 각각 전자의 전하, 질량, 속도이며, 는 이온과 전자의 충돌 빈도이다.)
이 방정식은 다음과 같이 표현할 수도 있다.
:
여기서 는 전기 저항률이다.
자기유체역학(MHD)에서는 옴의 법칙을 1차원 도체에서 3차원 연속체, 특히 유체로 확장하여 사용하며, 이때 자기장의 영향을 포함하여 “일반화된 옴의 법칙”이라고 불린다.[19]
자기장이 존재하고 도체가 움직이는 경우, 로렌츠 힘을 고려해야 한다. 로렌츠 변환을 사용하면 전기장은 다음과 같이 변환된다.
:
여기서 는 도체의 이동 방향과 평행한 성분, 는 수직인 성분, 는 로렌츠 인자, 는 광속에 대한 상대적인 속도이다.
속도가 광속보다 충분히 느리고, 자기장이 충분히 강하다고 가정하면, 옴의 법칙은 다음과 같이 수정된다.
:
완전히 이온화된 수소 원자의 플라스마를 예로 들어, 일반화된 옴의 법칙을 유도할 수 있다. 양성자와 전자 두 성분만으로 구성된 유체에서, 각 입자의 속도, 수밀도, 질량, 부분압, 기본 전하량, 충돌 빈도 등을 고려하여 운동 방정식(오일러 방정식)을 세울 수 있다.
미시적인 공간에서 정상 상태를 가정하고, 중성 유체 조건 () 및 양성자와 전자의 질량 차이 ()를 고려하면, 중심 속도는 로 근사할 수 있다.
전류는 로 표현되며, 운동 방정식의 충돌항을 대입하면, 를 얻는다.
최종적으로 일반화된 옴의 법칙은 다음과 같다.
:
(단, ).
8. 옴의 법칙과 관련된 추가 개념
전기 전도도(electrical conductivity) 또는 컨덕턴스(conductance)는 전기 저항의 역수로, 도체에 흐르는 전류가 전압에 비례한다는 관계를 나타낸다. 수식으로는 다음과 같다.[42]
:
여기서 ''G''는 컨덕턴스이며, ''R''-1 (R은 저항)과 같다. 전류의 단위로 암페어(A), 전위차의 단위로 볼트(V)를 사용할 때, 컨덕턴스의 단위는 지멘스(S)이다.
비저항(resistivity)은 도체의 재질과 온도에 따라 결정되는 값으로, 옴의 법칙의 미분형 표현에서 확인할 수 있다.[42]
:
여기서 ''ρ''는 비저항, '''E'''는 전기장, '''j'''는 전류 밀도를 나타낸다. 비저항은 도체의 전기 저항을 결정하는 요소 중 하나이다.
전기전도도(conductivity)는 비저항의 역수로, 다음과 같이 표현된다.[42]
:
여기서 ''σ''는 전기전도도이다.
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